行波电极渐变耦合脊波导InP双异质结光敏晶体管

摘要

本发明公开一种行波电极渐变耦合脊波导InP双异质结光敏晶体管（DHPT）。采用双异质结结构，包括一InP发射区-InGaAsP基区构成的（e-b）异质结和一InGaAsP基区-InGaAsP集电区构成的（b-c）异质结，代替传统异质结光敏晶体管（HPT）e-b结单异质结结构；一掺杂浓度很高的InGaAsP基区作为DHPT的光吸收层；一InGaAsP基区，InGaAsP集电区和InGaAsP次集电区形成的渐变耦合脊波导结构实现被探测光被侧边探测吸收，代替传统HPT光从顶端垂直入射的方式。光传输方向与载流子传输方向垂直，能分别优化光吸收效率和工作速度。一发射极电极和集电极电极构成的行波电极，可以有效的减少传统电极在传输高频信号时的分布效应，减少寄生电容对高速传输的影响，进一步提高器件的工作速度。

主权项

一种行波电极渐变耦合脊波导InP双异质结光敏晶体管，其特征在于包括：一InP衬底(1)，InP缓冲层(2)，InGaAsP次集电区(3)，InGaAsP集电区(4)，InGaAsP过渡层(5)，InGaAsP基区(6)，InP发射区(7)，InP盖层(8)，各层按序号由小到大的顺序依次生长在InP衬底(1)之上；InGaAs欧姆接触层(9)生长InP盖层(8)上，所述InGaAsP基区(6)、InGaAsP集电区(4)和InGaAsP次集电区(3)构成渐变耦合脊波导结构，聚酰亚胺层(10)覆盖在InGaAs接触层(9)和InGaAsP次集电区(3)之上，并且包裹InGaAsP基区、InGaAsP集电区、InGaAsP次集电区构成渐变耦合脊波导的侧面和InGaAsP次集电区、InP缓冲层构成的台面侧面；开出电极窗口，一发射极(11)，第一集电极(12)、第二集电极(13)、第三集电极(14)、第四集电极(15)采用溅射的方法制作在InP衬底(1)和聚酰亚胺层(10)上，然后刻蚀出行波电极。