一种浅沟槽隔离结构的形成方法

摘要

本发明提供了一种浅沟槽隔离结构的形成方法，通过SACVD工艺形成第一氧化层后，执行干法刻蚀工艺消除第一氧化层的脆弱面，然后再通过SACVD工艺形成第二氧化层，由此形成的浅沟槽隔离结构的隔离效果好，包含浅沟槽隔离结构的半导体器件的稳定性好，不易发生漏电、击穿。另外，增加氢气钝化工艺，所述氢气钝化工艺可消除薄膜表面的不饱和键，从而使后续工艺的沉积速率稳定，并最终提高薄膜厚度均匀性。此外，采用氧气等离子体处理工艺，利用O2等离子体有效地将结构表面和表层的氢键去除，以消除后续制程沉积速率的Q-time效应，从而使其在后续制程沉积之前更加稳定。

主权项

一种浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底内形成有若干隔离沟槽；通过SACVD工艺在所述半导体衬底上形成第一氧化层，所述第一氧化层填满所述隔离沟槽；执行干法回刻蚀工艺，在所述第一氧化层中形成一凹口；执行氢气钝化工艺，所述氢气钝化工艺的工艺参数为：射频功率为2000～6000W，H2流量为500～2000sccm，工艺时间为5～50s；执行氧气等离子体处理工艺；通过SACVD工艺在所述第一氧化层上形成第二氧化层；以及平坦化所述第一氧化层和第二氧化层，形成浅沟槽隔离结构。