一种微型摩擦式能量采集器及其制备方法

摘要

本发明涉及MEMS集成加工技术领域，特别涉及一种微型摩擦式能量采集器及其制备方法，包括硅质量块及硅质量块上设有的底电极、摩擦材料、上电极；底电极通过溅射、光刻、腐蚀工艺加工并图形化，摩擦材料通过化学气相沉积制备，底电极与摩擦材料接触并相互摩擦，上电极通过溅射、光刻、腐蚀工艺加工并图形化；本发明的优势在于：本发明无需外加电源、无需制备驻极体，解决了传统静电式能量采集器的不足之处；本发明采用MEMS微加工工艺批量化生产，成本低、产量大、可控性好、适于商业生产与应用。

主权项

一种微型摩擦式能量采集器的制备方法，其特征在于,包含如下步骤：步骤1)清洗厚度为500μm的硅片；步骤2)通过氧化在硅片表面得到的氧化硅形成的薄膜作为绝缘层；步骤3)在氧化硅表面溅射金属铬作为下粘附层；步骤4)在下粘附层表面溅射金属金作为底电极；步骤5)通过光刻工艺加工图形化底电极；步骤6)通过光刻胶作为掩膜腐蚀未加工图形化的底电极；步骤7)通过光刻胶和金属金作为掩膜腐蚀未加工图形化的下粘附层；步骤8)通过发烟硝酸去除光刻胶；步骤9)在底电极上旋涂光刻胶作为牺牲层并进行图形化，光刻胶厚度为8μm；步骤10)在牺牲层上采用化学气象沉积淀积聚对二苯甲作为摩擦材料，摩擦材料厚度为5μm；步骤11)在摩擦材料表面溅射金属铬作为上粘附层；步骤12)在上粘附层表面溅射金属金作为上电极；步骤13)通过光刻工艺加工图形化上电极；步骤14)通过光刻胶作为掩膜腐蚀未加工图形化的上电极；步骤15)通过光刻胶和金属金作为掩膜腐蚀未加工图形化的上粘附层；步骤16)通过光刻胶、金属金、金属铬作为掩膜，通过反应离子刻蚀去除摩擦材料；步骤17)通过去胶液PRS3000去除光刻胶；步骤18)划片，引出电极，将器件倒置，使硅片的基底作为能量采集器的硅质量块。