| 发明名称 | 基于量子阱带间跃迁的光电探测器 | ||
| 摘要 | 本发明涉及基于量子阱带间跃迁的光电探测器。一种光电探测器可包括：第一半导体层，其具有第一导电类型；第二半导体层，其具有第二导电类型，所述第二导电类型不同于所述第一导电类型；以及设置在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的光子吸收层，所述光子吸收层包括至少一个量子阱层以及设置在每个所述量子阱层两侧的势垒层。本发明利用半导体PN结对量子阱参与的光电转换过程的调制作用，大幅度提升了基于量子阱材料的光电探测器的电流输出。 | ||
| 申请公布号 | CN105720130A | 申请公布日期 | 2016.06.29 |
| 申请号 | CN201510404231.3 | 申请日期 | 2015.07.10 |
| 申请人 | 中国科学院物理研究所 | 发明人 | 陈弘;王禄;贾海强;马紫光;江洋;王文新 |
| 分类号 | H01L31/12(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市正见永申律师事务所 11497 | 代理人 | 黄小临;冯玉清 |
| 主权项 | 一种光电探测器，包括：第一半导体层，其具有第一导电类型；第二半导体层，其具有第二导电类型，所述第二导电类型不同于所述第一导电类型；以及设置在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的光子吸收层，所述光子吸收层包括至少一个量子阱层以及设置在每个所述量子阱层两侧的势垒层。 | ||
| 地址 | 100190 北京市海淀区中关村南三街8号 | ||