发明名称 |
超级结及其制造方法 |
摘要 |
本发明公开了一种超级结,由2层以上的超级结子层叠加形成,各超级结子层的N型外延子层中形成有子沟槽,P型子薄层由填充子沟槽中P型外延子层组成,N型子薄层由各子沟槽之间的N型外延子层组成;各超级结子层的子沟槽在纵向上都对准,各P型子薄层纵向叠加形成P型薄层,各N型子薄层纵向叠加形成N型薄层;利用各超级结子层之间N型外延子层的掺杂浓度和厚度、子沟槽的深度和P型外延子层的掺杂浓度都是单独分开设置的特征,使得各超级结子层之间的耗尽层宽度呈层次结构。本发明还公开了一种超级结及其制造方法,本发明能降低超级结形成的器件的开关速度、降低超级结器件的对外电磁干扰性能。 |
申请公布号 |
CN105720089A |
申请公布日期 |
2016.06.29 |
申请号 |
CN201610086759.5 |
申请日期 |
2016.02.16 |
申请人 |
上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
发明人 |
冯海浪;祝志敏;王飞 |
分类号 |
H01L29/06(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/06(2006.01)I |
代理机构 |
上海浦一知识产权代理有限公司 31211 |
代理人 |
郭四华 |
主权项 |
一种超级结,其特征在于,由2层以上的超级结子层叠加形成,各所述超级结子层形成于对应的N型外延子层中且分别由P型子薄层和N型子薄层横向交替排列组成;各所述超级结子层对应的N型外延子层中形成有子沟槽,各所述超级结子层的所述P型子薄层由填充所述子沟槽中P型外延子层组成,各所述超级结子层的所述N型子薄层由各所述子沟槽之间的N型外延子层组成;各所述超级结子层的子沟槽在纵向上都对准,各所述超级结子层的P型子薄层纵向叠加形成P型薄层,各所述超级结子层的N型子薄层纵向叠加形成N型薄层,由所述P型薄层和所述N型薄层横向交替排列组成所述超级结;利用各所述超级结子层之间N型外延子层的掺杂浓度和厚度、所述子沟槽的深度和所述P型外延子层的掺杂浓度都是单独分开设置的特征,使得各所述超级结子层之间的耗尽层宽度具有层次结构并用于提高所述超级结的完全反偏的时间、降低开关速度,从而降低超级结器件的对外电磁干扰性能。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 |