| 发明名称 | 半导体结构的形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体结构的形成方法，包括：提供半导体衬底，刻蚀所述半导体衬底形成鳍部；在所述鳍部上和所述鳍部之间的半导体衬底上形成介质层；以含有氟化氢和氨气的气体作为刻蚀气体，在不产生等离子体条件下对所述介质层进行第一刻蚀，至所述介质层的表面低于所述鳍部顶端。以含有氟化氢和氨气的刻蚀气体，在不产生等离子体的条件下刻蚀介质层，过程中可避免产生含有氟离子的等离子气体，从而在刻蚀介质层时，可降低露出的鳍部被氟离子腐蚀，以减小鳍部所受的损伤，提高后续形成的鳍部的结构形态。 | ||
| 申请公布号 | CN105719972A | 申请公布日期 | 2016.06.29 |
| 申请号 | CN201410736250.1 | 申请日期 | 2014.12.04 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 赵海 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 高静;骆苏华 |
| 主权项 | 一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；刻蚀所述半导体衬底，形成鳍部；在所述鳍部上和所述鳍部之间的半导体衬底上形成介质层；以含有氟化氢和氨气的气体作为刻蚀气体，在不产生等离子体条件下对所述介质层进行第一刻蚀，至所述介质层的表面低于所述鳍部顶端。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||