| 发明名称 | 3D AMR沟槽填充工艺方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种3D AMR沟槽填充工艺方法，步骤包括：1)在晶圆表面形成沟槽和磁阻薄膜；2)在沟槽底部填充<img file="DDA0000924556150000011.GIF" wi="257" he="51" />的底层膜质材料；3)在步骤2)填充的底层膜质材料基础上，再填充<img file="DDA0000924556150000012.GIF" wi="259" he="54" />的底层膜质材料；4)在步骤3)填充的底层膜质材料上分三次填充有机填充材料。本发明利用不同材料之间的粘附性及材料本身的填充能力等特点，采用两次底层膜质和三次填充材料的填充方法，改善了Z方向磁电阻薄膜图形定义前晶圆表面的平坦性，从而保证了后续磁电阻薄膜刻蚀的正常进行。 | ||
| 申请公布号 | CN105720190A | 申请公布日期 | 2016.06.29 |
| 申请号 | CN201610086784.3 | 申请日期 | 2016.02.16 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 王辉;王雷 |
| 分类号 | H01L43/12(2006.01)I | 主分类号 | H01L43/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 丁纪铁 |
| 主权项 | 3D AMR沟槽填充工艺方法，其特征在于，步骤包括：1)在晶圆表面形成沟槽和磁阻薄膜；2)在沟槽底部填充<img file="FDA0000924556120000011.GIF" wi="256" he="53" />的底层膜质材料；3)在步骤2)填充的底层膜质材料基础上，再填充<img file="FDA0000924556120000012.GIF" wi="256" he="53" />的底层膜质材料；4)在步骤3)填充的底层膜质材料上分三次填充有机填充材料。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||