| 发明名称 | 一种InSb光导器件及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种InSb光导器件及其制备方法。InSb光导器件包括InSb光敏元件，InSb光敏元件通过扩散法掺杂有P型杂质。P型杂质为Zn或Cd。InSb光导器件制备过程包括：取InSb高纯晶体材料，通过切割、研磨、抛光、光刻成型制得厚度为5~15μm的高纯InSb光敏元件，然后采用扩散法向高纯InSb光敏元件内扩散掺杂P型杂质。具体地，将高纯InSb光敏元件和P型杂质：Sb源置于双温区真空石英管内，高纯InSb光敏元件区的温度为400~500℃，P型杂质：Sb源区的温度稍低。由于掺杂P型杂质，InSb光导器件为一种高性能的室温InSb光导器件，响应率较高，相比掺杂生长晶体具有较高产率。 | ||
| 申请公布号 | CN105720128A | 申请公布日期 | 2016.06.29 |
| 申请号 | CN201610122190.3 | 申请日期 | 2016.03.04 |
| 申请人 | 江苏森尼克电子科技有限公司 | 发明人 | 马可军;俞振中;郑律 |
| 分类号 | H01L31/09(2006.01)I;H01L31/0304(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/09(2006.01)I |
| 代理机构 | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人 | 孙仿卫 |
| 主权项 | 一种InSb光导器件，包括InSb光敏元件，其特征在于：所述InSb光敏元件通过扩散法掺杂有P型杂质。 | ||
| 地址 | 215634 江苏省苏州市张家港保税区新兴产业育成中心4栋253A室（森尼克） | ||