一种快恢复二极管及其制造方法

摘要

本发明涉及一种快恢复二极管及其制造方法，该快恢复二极管结构包括N型本征区，缓变可控缓冲区，P型发射区，阳极P+区，阴阳极金属，氧化层；以及局域寿命控制区、全局寿命控制区，本发明采用“波浪型”有源区结构、缓变缓冲层结构和局域寿命控制方式提高FRD的性能，“波浪型”有源区结构可有效调节阳极注入效率，缓变缓冲层结构采用多次外延方式形成，工艺易控、一致性好，三者结合利于FRD性能的折中优化。

主权项

一种快恢复二极管，所述二极管包括衬底、缓冲区、P型发射区、阳极P+区、金属层和氧化层；所述P型发射区和缓冲区分别设置在衬底两侧；在所述衬底N‑层上生长有氧化层；所述金属层位于二极管的两端；其特征在于，所述P型发射区采用波浪型有源区结构；所述缓冲区为缓变可控缓冲区；在所述P型发射区与阳极P+区之间设有局域寿命控制区，二极管设有包围其四周的全局寿命控制区； 所述衬底为N型本征区，由均匀掺杂的N型硅衬底组成。