| 发明名称 | 一种平坦化的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了提出了一种平坦化的方法，包括：提供衬底，衬底上形成有填充层；在填充层上形成光刻胶层；采用等离子体刻蚀进行光刻胶层和填充层的回刻，光刻胶层与填充层具有基本相同的刻蚀速率。利用本发明的方法在回刻后，可以获得平坦的填充层的表面，实现全局的、均匀的平坦化。 | ||
| 申请公布号 | CN105719964A | 申请公布日期 | 2016.06.29 |
| 申请号 | CN201410738446.4 | 申请日期 | 2014.12.05 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 李俊杰;李春龙;刘战峰;吕玉菲;李俊峰;闫江 |
| 分类号 | H01L21/3105(2006.01)I;H01L21/321(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3105(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人 | 党丽;吴兰柱 |
| 主权项 | 一种平坦化的方法，其特征在于，包括步骤：提供衬底，衬底上形成有填充层；在填充层上形成光刻胶层；采用等离子体刻蚀进行光刻胶层和填充层的回刻，光刻胶层与填充层具有基本相同的刻蚀速率。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||