发明名称 |
制造半导体器件的方法 |
摘要 |
一种制备MOSFET(1)的方法,包括:制备碳化硅衬底(10)的步骤;形成与衬底(10)进行欧姆接触的漏电极(51)的步骤;以及形成与漏电极(51)的顶部接触的背表面焊盘电极(80)的步骤。在漏电极(51)形成步骤中,形成包括含有Ti和Si的合金的漏电极(51)。而且,所形成的背表面焊盘电极(80)被维持在300℃或更低的温度,直至MOSFET(1)制备完成。该配置使得能够条制备工艺的效率,同时实现电极间良好的粘附性。 |
申请公布号 |
CN103907176B |
申请公布日期 |
2016.06.29 |
申请号 |
CN201280053287.3 |
申请日期 |
2012.05.22 |
申请人 |
住友电气工业株式会社 |
发明人 |
北林弘之;玉祖秀人;堀井拓 |
分类号 |
H01L21/28(2006.01)I;H01L21/3205(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I;H01L23/532(2006.01)I;H01L29/12(2006.01)I;H01L29/417(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/28(2006.01)I |
代理机构 |
中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 |
代理人 |
李兰;孙志湧 |
主权项 |
一种制造半导体器件(1)的方法,包括以下步骤:制备由碳化硅制成的衬底(10);形成与所述衬底进行欧姆接触的接触电极(51);以及在所述接触电极上并且与所述接触电极接触地形成焊盘电极(80),形成所述接触电极的步骤包括执行退火的步骤,在形成所述接触电极的步骤中形成的所述接触电极由包含Ti和Si的合金制成,在形成所述焊盘电极的步骤中形成的所述焊盘电极被维持在300℃或更低的温度,直至完成所述半导体器件,其中形成所述接触电极的步骤包括形成包括有Ti部分和Si部分的薄膜(52)的步骤,其中在执行所述退火的步骤中,通过用激光照射所述薄膜来局部地加热所述薄膜,并且其中所述激光具有不小于1.9J/cm<sup>2</sup>且不大于2.2J/cm<sup>2</sup>的能量密度。 |
地址 |
日本大阪府大阪市 |