发明名称 |
一种掺镓多晶硅锭及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种掺镓多晶硅锭的制备方法,包括如下步骤:(1)在坩埚内壁上涂敷氮化硅涂层;(2)在坩埚内装入多晶硅料和镓掺杂剂,形成混合物;(3)将装有混合物的坩埚放入铸锭炉中,抽真空,加热,使混合物按照从上到下的顺序逐渐熔化;(4)进入长晶阶段后,调节铸锭炉中控温热电偶的温度和侧部隔热笼向上移动的速率,使热量向下辐射,从而使熔硅在竖直向上的温度梯度下自下向上生长;(5)退火、冷却,即可得到掺镓多晶硅锭。实验证明:本发明的多晶硅锭少子寿命较高,位错密度低,由其制得的多晶硅太阳能电池可获得较高的光电转换效率;更重要的,由此制得的电池片无光致衰减现象。 |
申请公布号 |
CN103966665B |
申请公布日期 |
2016.06.29 |
申请号 |
CN201410205422.2 |
申请日期 |
2014.05.15 |
申请人 |
阿特斯光伏电力(洛阳)有限公司 |
发明人 |
李飞龙;张光春;章灵军 |
分类号 |
C30B28/06(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I |
主分类号 |
C30B28/06(2006.01)I |
代理机构 |
苏州翔远专利代理事务所(普通合伙) 32251 |
代理人 |
陆金星 |
主权项 |
一种掺镓多晶硅锭的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:(1) 在坩埚内壁上涂敷氮化硅涂层;(2) 在坩埚内装入多晶硅料和镓掺杂剂,形成混合物;所述镓掺杂剂位于坩埚高度30~50%的区域内;所述混合物中镓元素在硅中的含量5~7 ppma;(3) 将装有混合物的坩埚放入铸锭炉中,抽真空,然后加热,使混合物按照从上到下的顺序逐渐熔化;当混合物中的镓掺杂剂开始熔化时,调节炉压,使炉压为700~800 mbar;待混合物完全熔化形成熔硅后立即进入长晶阶段;(4) 进入长晶阶段后,调节铸锭炉中控温热电偶的温度和侧部隔热笼向上移动的速率,使热量向下辐射,从而使熔硅在竖直向上的温度梯度下自下向上生长;所述控温热电偶的温度调节范围为1400~1430℃;所述隔热笼向上移动的速率为0.5~0.6 cm/h,且隔热笼的最高移动距离为多晶硅锭高度的70~80%;(5) 待熔硅结晶完后,退火、冷却,即可得到掺镓多晶硅锭。 |
地址 |
471023 河南省洛阳市洛龙工业园区关林路10号 |