| 发明名称 | 用于刻蚀高k金属栅层叠的方法 | ||
| 摘要 | 一种用于刻蚀栅极的方法，包括：在衬底之上形成高k材料层；在高k材料层之上形成上位层；执行用于刻蚀上位层的第一刻蚀工艺，以形成上位层图案；在上位层图案的侧壁上形成间隔件；以及使用包括主刻蚀气体和添加气体的等离子体来执行第二刻蚀工艺，以刻蚀高k材料层，其中，添加气体的量与主刻蚀气体基本上相同，以提高相对于衬底的刻蚀选择比。 | ||
| 申请公布号 | CN105719960A | 申请公布日期 | 2016.06.29 |
| 申请号 | CN201510573827.6 | 申请日期 | 2015.09.10 |
| 申请人 | 爱思开海力士有限公司 | 发明人 | 慎寿范;李海朾 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人 | 俞波;许伟群 |
| 主权项 | 一种用于形成栅极的方法，所述方法包括：在衬底之上形成高k材料层；在高k材料层之上形成上位层；执行用于刻蚀上位层的第一刻蚀工艺，以形成上位层图案；在上位层图案的侧壁上形成间隔件；以及使用包括刻蚀气体和添加气体的等离子体来执行第二刻蚀工艺，以刻蚀高k材料层，其中，添加气体的量与主刻蚀气体基本上相同，以提高相对于衬底的刻蚀选择比。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||