| 发明名称 | 斜槽刻蚀方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种斜槽刻蚀方法，其包括以下步骤：向反应腔室内通入SF<sub>6</sub>、O<sub>2</sub>和C<sub>4</sub>F<sub>8</sub>作为刻蚀气体，并开启上电极电源和下电极电源，以在硅片的待刻蚀表面上刻蚀斜槽；其中，下电极电源为低频电源；下电极电源的下电极功率、反应腔室的腔室压强以及SF<sub>6</sub>、O<sub>2</sub>和C<sub>4</sub>F<sub>8</sub>的流量的设置方式为：提高下电极功率、腔室压强和O<sub>2</sub>的流量，同时降低SF<sub>6</sub>和C<sub>4</sub>F<sub>8</sub>的流量，以使得斜槽的侧壁平直，同时提高刻蚀速率。 | ||
| 申请公布号 | CN105712291A | 申请公布日期 | 2016.06.29 |
| 申请号 | CN201410737528.7 | 申请日期 | 2014.12.04 |
| 申请人 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 发明人 | 李成强 |
| 分类号 | B81C1/00(2006.01)I | 主分类号 | B81C1/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人 | 彭瑞欣;张天舒 |
| 主权项 | 一种斜槽刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：向反应腔室内通入SF<sub>6</sub>、O<sub>2</sub>和C<sub>4</sub>F<sub>8</sub>作为刻蚀气体，并开启上电极电源和下电极电源，以在硅片的待刻蚀表面上刻蚀斜槽；其中，所述下电极电源为低频电源；所述下电极电源的下电极功率、所述反应腔室的腔室压强以及所述SF<sub>6</sub>、O<sub>2</sub>和C<sub>4</sub>F<sub>8</sub>的流量的设置方式为：提高所述下电极功率、腔室压强和O<sub>2</sub>的流量，同时降低所述SF<sub>6</sub>和C<sub>4</sub>F<sub>8</sub>的流量，以使得所述斜槽的侧壁平直，同时提高刻蚀速率。 | ||
| 地址 | 100176 北京市北京经济技术开发区文昌大道8号 | ||