用于电介质蚀刻应用的集成蚀刻/清洁

摘要

本发明涉及于电介质蚀刻应用的集成蚀刻/清洁。本发明的实施方式涉及用于在电介质材料中蚀刻凹入特征的方法和装置。在各种实施方式中，凹入特征在两个蚀刻操作中形成。第一蚀刻操作部分地蚀刻特征，并且可在配置成产生电容耦合等离子体反应器中进行。第一蚀刻操作可以在由于离子穿透通过半导体材料之上的电介质而导致下伏的半导体材料经历实质性损害之前结束。第二蚀刻操作可以在配置成产生电感耦合等离子体反应器中进行。第一和第二蚀刻操作本身可以是多步骤的、循环的工艺。

主权项

一种在半导体衬底中蚀刻凹入特征的方法，该方法包括：提供包括在半导体材料上的电介质材料的衬底到第一反应室中，其中，所述凹入特征将在所述电介质材料中形成；在所述第一反应室中执行第一蚀刻操作以将所述电介质材料中的所述凹入特征蚀刻到第一深度，所述第一蚀刻操作包括使所述衬底暴露于包括在所述电介质材料中具有平均自由程的第一组离子的第一等离子体，所述第一等离子体是电容耦合等离子体，其中在所述第一蚀刻操作之后，在所述第一蚀刻深度下且在所述半导体材料上方的剩余电介质材料具有至少是约为所述电介质材料中的所述第一组离子的所述平均自由程的厚度；将所述衬底从所述第一反应室传送到第二反应室；在传送所述衬底之后，在第二反应室中执行第二蚀刻操作以将所述凹入特征蚀刻至最终深度，其中所述第二蚀刻操作是包括使所述衬底暴露于第二等离子体的原子层蚀刻操作，所述第二等离子体是感应耦合等离子体。