发明名称 |
一种宽频带近场磁场探头的谐振抑制结构及其构建方法 |
摘要 |
一种宽频带近场磁场探头的谐振抑制结构及其构建方法,谐振抑制结构是在CB‑CPW中心导体两侧对称放置两排接地过孔,每一排的接地过孔等间距分布,每一个接地过孔连接磁场探头的顶层屏蔽平面、磁场探头中间1层和磁场探头底层屏蔽平面;每一个接地过孔都不能位于磁场探头底端长方形缝隙;所有接地过孔将中心导体围在中间,在中心导体两侧形成栅栏。所述构建方法:1、在CST微波工作室中构建磁场探头与50Ω微带线构成的仿真模型,2、CST微波工作室仿真设置;3、在磁场探头底端中心导体两侧放置接地过孔;4、构建的微带线一端接50Ω匹配负载,另一端定义为port1,磁场探头接SMA的一端定义为port2,仿真S21参数。 |
申请公布号 |
CN105720336A |
申请公布日期 |
2016.06.29 |
申请号 |
CN201610214915.1 |
申请日期 |
2016.04.08 |
申请人 |
北京航空航天大学 |
发明人 |
阎照文;王健伟;张伟;苏东林 |
分类号 |
H01P1/203(2006.01)I;H01P11/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01P1/203(2006.01)I |
代理机构 |
北京慧泉知识产权代理有限公司 11232 |
代理人 |
王顺荣;唐爱华 |
主权项 |
一种宽频带近场磁场探头的谐振抑制结构,其特征在于:该谐振抑制结构包括磁场探头,该谐振抑制结构是在CB‑CPW中心导体两侧对称放置两排接地过孔,每一排的接地过孔等间距分布,每一个接地过孔连接磁场探头的顶层屏蔽平面、磁场探头中间1层和磁场探头底层屏蔽平面;每一个接地过孔都不能位于磁场探头底端长方形缝隙;所有接地过孔将CB‑CPW中心导体围在中间,在CB‑CPW中心导体两侧形成栅栏,接地过孔构成栅栏式过孔阵列;栅栏式过孔阵列为信号提供返回路径;接地过孔抑制了CB‑CPW给平行板模式的能量传输,避免了CB‑CPW在工作频带激励起的平行板模式,将谐振频点移至工作频带外,提高了工作频带;其中,所述CB‑CPW中文含义为背面金属支撑共面波导。 |
地址 |
100191 北京市海淀区学院路37号 |