应用于微弱荧光测量的雪崩二极管APD的高压偏置电路

摘要

本发明公开了应用于微弱荧光测量的雪崩二极管APD的高压偏置电路，包括控制信号单元、控制信号调理单元、无温漂放大单元、输出缓冲单元和反馈单元，控制信号经过控制信号调理单元进行信号调理，然后经过无温漂放大单元放大得到所需要的偏置电压值，再经过输出缓冲单元以及反馈单元控制输出的稳定性。本发明采用元器件之间的温度漂移系数相互耦合的办法，消除了以往高压偏置电路的电压随温度漂移的问题，具有高温度稳定性的高压输出，输出不随信号增大而下降等优点，满足APD工作时的高压偏置需求。

主权项

应用于微弱荧光测量的雪崩二极管APD的高压偏置电路，包括依次连接的控制信号单元(1)，控制信号调理单元(2)，无温漂放大单元(3)和输出缓冲单元(4)，所述输出缓冲单元(4)的输出端通过一反馈单元(5)连接控制信号调理单元(2)的输入端，其特征在于，其中：所述无温漂放大单元(3)主要包括一个PNP型三极管(31)和一个第一NPN型三极管(33)，其中PNP型三极管(31)和第一NPN型三极管(33)互补，其中所述PNP型三极管(31)的发射极连接所述第一NPN型三极管(33)的基极；所述控制信号单元(1)包括温度测量芯片(11)，所述控制信号调理单元(2)主要包括加法器(24)，所述温度测量芯片(11)的输出端通过可调电阻(22)连接所述加法器(24)的反相输入端，所述加法器(24)的反相输入端还连接控制信号端Vctrl，所述加法器(24)的输出端还连接所述PNP型三极管(31)的基极；所述输出缓冲单元(4)包括一个第二NPN型三极管(41)，所述第二NPN型三极管(41)的基极连接所述第一NPN型三极管(33)的集电极，所述反馈单元(5)包括分压电阻(51)和反馈电阻(52)，所述反馈电阻(52)的一端连接所述第二NPN型三极管(41)的发射极，另一端分别连接所述加法器(24)的正向输入端和所述分压电阻(51)，所述分压电阻(51)的另一端接地。