SOLID-STATE P-TYPE/N-TYPE SILICON WAFER

摘要

La présente invention concerne un procédé de fabrication d'une plaquette (10) d'épaisseur (e), comprenant au moins les étapes consistant en (i) disposer d'un substrat monolithique en silicium dopé p ; (ii) former des défauts cristallographiques sur des parties prédéfinies d'au moins l'une des faces du substrat ; (iii) soumettre le substrat à un recuit thermique ; (iv) mettre en contact tout ou partie de l'une des faces du substrat avec de l'hydrogène ; (v) si nécessaire, favoriser la diffusion de l'hydrogène ; et (vi) soumettre le substrat à un traitement thermique.