发明名称 具有无源滤波器的电子组件
摘要 一种包括半桥的电子组件,所述半桥适合与具有工作频率的电负荷一起运行。所述半桥包括第一开关和第二开关,第一开关和第二开关的每个都具有切换频率,第一开关和所述第二开关的每个都包括第一端子、第二端子和控制端子,其中第一开关的第一端子和第二开关的第二端子都电连接至节点。该电子组件还包括具有3dB衰减频率的滤波器,所述3dB衰减频率小于所述开关的切换频率但大于所述电负荷的工作频率。所述滤波器的第一端子电耦合至所述节点,并且所述滤波器的3dB衰减频率大于5kHz。
申请公布号 CN103477543B 申请公布日期 2016.06.29
申请号 CN201280010771.8 申请日期 2012.02.27
申请人 特兰斯夫公司 发明人 詹姆斯·霍尼亚;吴毅锋
分类号 H02M1/12(2006.01)I 主分类号 H02M1/12(2006.01)I
代理机构 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人 张焕生;谢丽娜
主权项 一种电子组件,包括:半桥,所述半桥适合与具有工作频率的电负荷一起运行,所述半桥包括第一开关和第二开关,所述第一开关和所述第二开关的每个都具有切换频率,所述第一开关和所述第二开关的每个都包括第一端子、第二端子和控制端子,其中所述第一开关的第一端子和所述第二开关的第二端子都电连接至节点,所述第二开关的第一端子电连接至高压电源,所述第一开关的第二端子电连接至地;以及滤波器,所述滤波器具有3dB衰减频率,所述3dB衰减频率小于所述第一开关和所述第二开关的每个的切换频率但是大于所述电负荷的工作频率,并且所述滤波器的第一端子电耦合至所述节点;其中所述第二开关包括高电压耗尽模式晶体管和低电压增强模式晶体管,所述高电压耗尽模式晶体管包括源电极和栅电极,其中所述高电压耗尽模式晶体管的漏电极用作所述第二开关的端子;所述低电压增强模式晶体管包括源电极、栅电极和漏电极,所述低电压增强模式晶体管的源电极用作所述第二开关的第二端子,所述低电压增强模式晶体管的栅电极用作所述第二开关的控制端子;所述增强模式晶体管的源电极电连接至所述耗尽模式晶体管的栅电极,所述低电压增强模式晶体管的漏电极直接安装在所述高电压耗尽模式晶体管的源电极的顶部上并且与所述高电压耗尽模式晶体管的源电极电接触;并且所述滤波器的3dB衰减频率大于5kHz。
地址 美国加利福尼亚州
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