CMOS晶体管的形成方法

摘要

一种CMOS晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括NMOS区域和PMOS区域；对所述NMOS区域和PMOS区域的源区和漏区进行预非晶化注入；刻蚀所述NMOS区域和PMOS的源区和漏区，形成第一开口，所述第一开口的深度小于所述预非晶化注入的深度，在所述第一开口内形成NMOS嵌入式源区和漏区；形成阻挡层，所述阻挡层具有暴露所述PMOS区域的第二开口；沿所述第二开口刻蚀PMOS区域的源区和漏区，去除PMOS区域的NMOS嵌入式源区和漏区和预非晶化注入区域，形成第三开口，在所述第三开口内形成PMOS嵌入式源区和漏区。本发明CMOS晶体管的形成方法工艺简单。

主权项

一种CMOS晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括NMOS区域和PMOS区域，所述NMOS区域和PMOS区域之间具有隔离结构，所述NMOS区域和PMOS区域的半导体衬底表面具有凸起的鳍部，位于所述鳍部上的栅极结构，所述栅极结构覆盖部分所述鳍部的顶部和侧壁，位于所述栅极结构两侧的鳍部内的源区和漏区；对所述NMOS区域和PMOS区域的源区和漏区进行预非晶化注入；刻蚀所述NMOS区域和PMOS区域的源区和漏区，形成第一开口，所述第一开口的深度小于所述预非晶化注入的深度，在所述第一开口内形成NMOS嵌入式源区和漏区；形成阻挡层，所述阻挡层具有暴露所述PMOS区域的第二开口；沿所述第二开口刻蚀PMOS区域的源区和漏区，去除PMOS区域的NMOS嵌入式源区和漏区和预非晶化注入区域，形成第三开口，在所述第三开口内形成PMOS嵌入式源区和漏区。