超高压电阻器、半导体器件及其制造方法

摘要

提供一种超高压电阻器、半导体器件及其制造方法。一个示例提供包括在半导体基底的阱区与多晶硅的电阻器之间具有预定厚度的绝缘体的半导体器件。所述绝缘体具有能够忍受超高电压的结构，因此允许在未增加半导体基底以及包括这样的电阻器的半导体器件的尺寸的情况下，制造能够承受超高电压的半导体器件。其他示例提供用于制造这样的半导体器件的方法。

主权项

一种用于制造高压电阻器的方法，包括：在半导体基底上形成阱区；在阱区的表面上形成第一绝缘体层；在第一绝缘体层的表面上形成第二绝缘体层；在第二绝缘体层的表面上形成多晶硅层，其中，当形成第一绝缘体层时第一斜面区被形成，当形成第二绝缘体层时第二斜面区被形成。