| 发明名称 | 高速锗/硅雪崩光电二极管 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种高速锗/硅(Ge/Si)雪崩光电二极管，可包括衬底层、设于所述衬底层上的底部接触层、设于所述底部接触层上的缓冲层、设于所述缓冲层上的电场控制层、设于所述电场控制层上的雪崩层、设于所述雪崩层上的电荷层、设于所述电荷层上的吸收层和设于所述吸收层上的顶部接触层。所述电场控制层可用于控制所述雪崩层中的电场。 | ||
| 申请公布号 | CN105720129A | 申请公布日期 | 2016.06.29 |
| 申请号 | CN201510907071.4 | 申请日期 | 2015.12.09 |
| 申请人 | 硅光电科技股份有限公司 | 发明人 | 黄梦园;蔡鹏飞;王良波;栗粟;陈旺;洪菁吟;潘栋 |
| 分类号 | H01L31/107(2006.01)I;H01L31/028(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/107(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京京万通知识产权代理有限公司 11440 | 代理人 | 许天易 |
| 主权项 | 一种器件，其特征在于，包括：Ge/Si雪崩光电二极管；所述Ge/Si雪崩光电二极管包括：衬底层；设于衬底上的底部接触层；设于所述底部接触层上的缓冲层；设于所述缓冲层上的电场控制层；设于所述电场控制层上的雪崩层；设于所述雪崩层上的电荷层；设于所述电荷层上的吸收层；和设于所述吸收层上的顶部接触层；其中，所述电场控制层为用于控制所述雪崩层中的电场分布。 | ||
| 地址 | 开曼群岛大开曼 | ||