一种柔性衬底上制备CIGS吸收层碱金属掺杂方法

摘要

本发明涉及一种柔性衬底上制备CIGS吸收层碱金属掺杂方法。本发明属于铜铟镓硒薄膜太阳电池技术领域。一种柔性衬底上制备CIGS吸收层碱金属掺杂方法：采用共蒸发工艺沉积CIGS吸收层；随着吸收层中Cu含量的增加，薄膜生长经历贫铜-富铜过程，富铜过程中CIGS薄膜中Cu/(In+Ga)>1时，停止Cu元素的蒸发，为使略微富铜的CIGS薄膜最终变为贫铜，再蒸发In和Ga原子沉积厚度为吸收层厚度的1/10-3/10，在此过程蒸发碱金属化合物，相对于CIGS薄膜掺杂量为0.08－0.12％原子比例,将衬底降至室温得到厚度1-3μm的CIGS薄膜。本发明具有流程简化，生产效率高，薄膜结晶质量高，增加吸收层的载流子浓度、降低电阻率，改善薄膜电池的电学性质，从而提高CIGS薄膜太阳电池的光电转换效率等优点。

主权项

一种柔性衬底上制备CIGS吸收层碱金属掺杂方法，其特征是：柔性衬底上制备CIGS吸收层碱金属掺杂过程：采用共蒸发工艺沉积CIGS吸收层，薄膜生长先后经历贫铜‑富铜‑贫铜的过程；随着吸收层中Cu含量的增加，薄膜生长经历贫铜‑富铜过程，富铜过程中CIGS薄膜中原子个数Cu/(In+Ga)>1时，停止Cu元素的蒸发，为使略微富铜的CIGS薄膜最终变为贫铜，再蒸发In和Ga原子沉积厚度为吸收层厚度的1/10‑3/10，在此过程中共蒸发碱金属化合物，相对于CIGS薄膜掺杂量为0.08－0.12％原子比例,将衬底降至室温得到厚度1‑3μm的CIGS薄膜。