栅极的形成方法及MOS晶体管的制造方法

摘要

一种栅极的形成方法及MOS晶体管的制造方法，其中栅极的形成方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上依次形成栅极层和第一掩模层；在第一掩模层中形成沿第一方向延伸的第一开口；在第一开口侧壁形成牺牲层，牺牲层在第一开口处围成第二开口，第二开口的宽度用于定义栅极末端之间的距离；在牺牲层上形成第二掩模层，第二掩模层填满第二开口并覆盖牺牲层；在第二掩模层上形成光刻胶图形；以光刻胶图形为掩模对第二掩模层、牺牲层和第一掩模层进行刻蚀，直至露出所述栅极层，形成硬掩模图形；以硬掩模图形为掩模图形化栅极层，形成栅极。本发明通过增加收缩层，有效的减小了栅极末端之间的距离，提高了器件的集成度，降低了器件制造成本。

主权项

一种栅极的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上依次形成栅极层和第一掩模层；在所述第一掩模层中形成沿第一方向延伸的第一开口；在所述第一开口侧壁以及底部形成牺牲层，所述牺牲层在所述第一开口处围成第二开口，所述第二开口的宽度用于定义栅极末端之间的距离；在所述牺牲层上形成第二掩模层，所述第二掩模层填满所述第二开口并覆盖所述牺牲层；在所述第二掩模层上形成光刻胶图形，所述光刻胶图形为沿第二方向延伸的条状图形，所述第二方向与所述第一方向相垂直；以所述光刻胶图形为掩模对所述第二掩模层、所述牺牲层和所述第一掩模层进行刻蚀，以形成硬掩模图形，所述硬掩模图形为在所述第二开口处断开的条状图形；以所述硬掩模图形为掩模图形化所述栅极层，形成栅极。