发明名称 图像传感器的遮光结构、图像传感器
摘要 一种图像传感器的遮光结构、包括所述遮光结构的图像传感器,所述图像传感器包括多个像素单元,所述像素单元包括:衬底,形成于衬底中的光电传感器,覆盖所述衬底上的透光介质层,形成于所述透光介质层中的遮光结构,所述遮光结构包括第一遮光结构和第二遮光结构,所述第一遮光结构和第二遮光结构露出光电传感器,所述第二遮光结构位于第一遮光结构下方且靠近光电传感器的位置,其中,在垂直于衬底的剖面中,第一遮光结构包括第一长边,第一长边与衬底表面平行;所述第二遮光结构包括第二长边,所述第二长边垂直于衬底表面。本发明遮光结构可大大降低图像传感器的噪音。
申请公布号 CN102222677B 申请公布日期 2016.06.29
申请号 CN201110170552.3 申请日期 2011.06.22
申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司 发明人 巨晓华;饶金华;周雪梅;张克云;孔蔚然;吴小利
分类号 H01L27/146(2006.01)I 主分类号 H01L27/146(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 骆苏华
主权项 一种图像传感器的遮光结构,其特征在于,所述图像传感器包括多个像素单元,所述像素单元包括:衬底,形成于衬底中的光电传感器,覆盖所述衬底上的透光介质层,形成于所述透光介质层中的遮光结构,所述遮光结构包括第一遮光结构和第二遮光结构,所述第一遮光结构和第二遮光结构露出光电传感器,所述第二遮光结构位于第一遮光结构下方且靠近光电传感器的位置,所述第二遮光结构的第二内边缘与所述光电传感器的外边缘齐平,其中,在垂直于衬底的剖面中,第一遮光结构包括第一长边,第一长边与衬底表面平行;所述第二遮光结构包括垂直于衬底表面的第二长边和平行于衬底表面的第二短边,所述第二长边的尺寸大于所述第二短边的尺寸,所述第二遮光结构的上端与所述第一遮光结构通过所述透光介质层相隔离。
地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
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