发明名称 |
一种直接在Si衬底上生长六方氮化硼二维薄膜的方法 |
摘要 |
一种直接在Si衬底上生长六方氮化硼二维薄膜的方法,涉及六方氮化硼二维纳米薄膜的制备。提供可有效缩减复杂的氮化硼专业工艺,提高h-BN的质量,并直接和Si基电子器件结合,从而获得高性能的新型光电子器件的一种直接在Si衬底上生长六方氮化硼二维薄膜的方法。采用一端封闭的石英管,控制CVD气流温度条件在Cu箔上生长出二维h-BN薄膜;将生长出二维h-BN薄膜的Cu箔与Si片同时放置,调控其距离,在Si(100)表面沉积均匀且尺寸小于1μm的Cu微晶粒阵列;利用Cu微晶粒催化作用,在Si(100)上直接生长六方氮化硼二维薄膜。 |
申请公布号 |
CN104233222B |
申请公布日期 |
2016.06.29 |
申请号 |
CN201410500423.X |
申请日期 |
2014.09.26 |
申请人 |
厦门大学 |
发明人 |
马吉;蔡端俊;伍臣平;徐红梅 |
分类号 |
C23C16/34(2006.01)I;C23C16/44(2006.01)I |
主分类号 |
C23C16/34(2006.01)I |
代理机构 |
厦门南强之路专利事务所(普通合伙) 35200 |
代理人 |
马应森 |
主权项 |
一种直接在Si衬底上生长六方氮化硼二维薄膜的方法,其特征在于包括以下步骤:1)采用一端封闭的石英管,控制CVD气流温度条件在Cu箔上生长出二维六方氮化硼薄膜;所述采用一端封闭的石英管,控制CVD气流温度条件在Cu箔上生长出二维六方氮化硼薄膜的具体方法为:将Cu箔放在一端封闭的石英玻璃管内生长出单层六方氮化硼薄膜,设定第一区Borazane气体的温度60~800℃,设定三区衬底的生长温度为950~1050℃,在以上温度范围内做尝试不同的温度搭配,可以生长出花状BN,不断优化温度参数,获得均匀且结构清晰的三角形的二维六方氮化硼薄膜;2)将生长出二维六方氮化硼薄膜的Cu箔与Si片同时放置,调控其距离,在Si(100)表面沉积均匀且尺寸小于1μm的Cu微晶粒阵列;所述将生长出二维六方氮化硼薄膜的Cu箔与Si片同时放置,调控其距离,在Si(100)表面沉积均匀且尺寸小于1μm的Cu微晶粒阵列的方法是在950~1050℃下,将Cu箔与Si(100)衬底前后放置;设定第一区Borazane气体的温度60~80℃,在CVD真空管中通氢气清洗衬底;当达到设定温度时,通入H<sub>2</sub>和Ar气的混合物作为载气,将一区Borazane气体送入三区,获得沉积有均匀尺寸和密度Cu微晶粒阵列的Si(100)衬底;3)利用Cu微晶粒催化作用,在Si(100)上直接生长六方氮化硼二维薄膜。 |
地址 |
361005 福建省厦门市思明南路422号 |