发明名称 | 半导体器件 | ||
摘要 | 一种半导体器件,包括:第一场效应晶体管(31),具有被赋予第一电位的一个端子;第二场效应晶体管(32),具有被赋予小于第一电位的第二电位的一个端子;控制器(1),控制第一场效应晶体管和第二场效应晶体管的每一个控制端子的每一个电位;电容元件(4),具有连接至第一场效应晶体管的控制端子的一端,该电容元件通过控制器的控制来充电;以及负载元件(5),连接在第一场效应晶体管的另一个端子与第二场效应晶体管的另一个端子之间。 | ||
申请公布号 | CN103326699B | 申请公布日期 | 2016.06.29 |
申请号 | CN201310095065.4 | 申请日期 | 2013.03.22 |
申请人 | 创世舫电子日本株式会社 | 发明人 | 竹前义博 |
分类号 | H03K17/567(2006.01)I | 主分类号 | H03K17/567(2006.01)I |
代理机构 | 北京市铸成律师事务所 11313 | 代理人 | 孟锐 |
主权项 | 一种半导体器件,其特征在于包括:第一场效应晶体管,具有被赋予第一电位的一个端子;第二场效应晶体管,具有被赋予小于所述第一电位的第二电位的一个端子;控制器,控制所述第一场效应晶体管和所述第二场效应晶体管的每一个控制端子的每一个电位;电容元件,具有连接至所述第一场效应晶体管的所述控制端子的一端,所述电容元件通过所述控制器的控制来充电;负载元件,连接在所述第一场效应晶体管的另一个端子与所述第二场效应晶体管的另一个端子之间;第三场效应晶体管,具有被赋予所述第一电位的一个端子;以及第四场效应晶体管,具有连接至所述第三场效应晶体管的另一个端子的一个端子,并且所述第四场效应晶体管的另一个端子被赋予所述第二电位;其中,所述电容元件的另一端连接至所述第四场效应晶体管的所述一个端子,以及所述控制器还控制所述第三场效应晶体管和所述第四场效应晶体管的每一个控制端子的每一个电位;其中所述第三场效应晶体管和所述第四场效应晶体管的每一个包括GaN半导体。 | ||
地址 | 日本神奈川县 |