屏蔽扁平电缆

摘要

本发明提供一种屏蔽扁平电缆，其是以LVDS方式使用的，该屏蔽扁平电缆在大于4m的距离处，在4.5GHz为止的频率范围内，远端串扰小于或等于－26dB。本发明的屏蔽扁平电缆构成为，将大于或等于四根扁平导体排列在一个平面上，从该排列面的上下贴合绝缘膜而使扁平导体绝缘，在所述绝缘膜的外侧设置屏蔽层。该屏蔽扁平电缆的特征在于，绝缘膜由粘接层和基材层构成。所述粘接层能够通过加热而粘接在所述扁平导体上，所述基材层在使所述粘接层粘接在所述扁平导体上的温度下，基材层的形状维持不变。所述绝缘膜的介电常数小于所述基材层的介电常数。

主权项

一种屏蔽扁平电缆，其构成为将大于或等于四根扁平导体以规定间隔排列在一个平面上，从扁平导体的排列面的上下贴合绝缘膜而使扁平导体绝缘，在所述绝缘膜的外侧设置有屏蔽层，该屏蔽扁平电缆的特征在于，所述绝缘膜由粘接层和基材层构成，所述基材层在使所述粘接层粘接在所述扁平导体上的温度下维持形状不变，所述绝缘膜的介电常数小于所述基材层的介电常数，在所述绝缘膜和所述屏蔽层之间设置电介体层，将除了末端处理部之外的部分的差模阻抗调整为落在75至110Ω的范围内，在将所述绝缘膜的有效相对介电常数设为ε1，将所述绝缘膜的所述粘接层的相对介电常数设为εa，将所述基材层的相对介电常数设为εb，将从所述扁平导体至屏蔽层为止的非金属层的有效相对介电常数设为εe时，εa＜εb且0.86≤εe/ε1。