发明名称 | 半导体发光器件 | ||
摘要 | 本发明提供了一种半导体发光器件,包括:包括第一氮化物层和在所述第一氮化物层上的第二氮化物层的第一导电型半导体层;在所述第一氮化物层上的具有多个突起的绝缘层;设置在所述绝缘层的所述多个突起之间的空隙;在所述第一导电型半导体层上的有源层;以及在所述有源层上的第二导电型半导体层,其中所述第二氮化物的表面具有不均匀的形状。 | ||
申请公布号 | CN103050590B | 申请公布日期 | 2016.06.29 |
申请号 | CN201310022156.5 | 申请日期 | 2008.09.05 |
申请人 | LG伊诺特有限公司 | 发明人 | 孙孝根 |
分类号 | H01L33/02(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/02(2010.01)I |
代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 顾晋伟;董文国 |
主权项 | 一种半导体发光器件,包括:包括第一氮化物层和在所述第一氮化物层上的第二氮化物层的第一导电型半导体层;在所述第一氮化物层上的具有多个突起的绝缘层;设置在所述绝缘层的所述多个突起之间的空隙;在所述第一导电型半导体层上的有源层;在所述有源层上的第二导电型半导体层;在所述第一氮化物层上的第一电极层;以及在所述第二导电型半导体层上的第二电极层;其中所述第二氮化物层的表面具有不均匀的形状,其中所述第一导电型半导体层包括n型掺杂剂,以及其中所述第一氮化物层和第二氮化物层掺杂有n型掺杂剂,其中所述空隙设置在所述第一氮化物层和所述第二氮化物层之间,其中所述第二氮化物层设置在所述绝缘层上,其中所述绝缘层和所述空隙设置在所述有源层和其上设置有第一电极层的所述第一氮化物层之间。 | ||
地址 | 韩国首尔 |