发明名称 集成电路中可靠性分析的测试结构及其测试方法
摘要 本发明揭示了一种集成电路中可靠性分析的测试结构,该测试结构包括:待测结构;N个虚拟结构,N个所述虚拟结构与所述待测结构电连接,N为大于0的正整数;包括第一引线结构和第二引线结构的引线结构;和包括第一通孔结构和第二通孔结构的通孔结构。本发明还揭示了该测试结构的测试方法,包括:提供一衬底,根据所述的测试结构在所述衬底上形成实际待测试结构;所述第二引线结构接一第一测试电流,所述第一节点接地,测量第一失效电流。本发明的测试结构,能准确评估焦耳热效应对器件的影响,从而保证可靠性分析的准确性。
申请公布号 CN103824839B 申请公布日期 2016.06.29
申请号 CN201210465725.9 申请日期 2012.11.16
申请人 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 发明人 冯军宏;甘正浩
分类号 H01L23/544(2006.01)I;G01R31/12(2006.01)I 主分类号 H01L23/544(2006.01)I
代理机构 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人 屈蘅;李时云
主权项 一种集成电路中可靠性分析的测试结构,包括:待测结构;N个虚拟结构,N个所述虚拟结构与所述待测结构临近且电连接,N个所述虚拟结构与所述待测结构通过互连线或垫片电连接,N为大于0的正整数;引线结构,位于所述待测结构的上层,包括第一引线结构和第二引线结构,所述第一引线结构和第二引线结构用于为所述待测结构提供电流;以及通孔结构,包括第一通孔结构和第二通孔结构,其中,所述第一引线结构通过第一通孔结构与所述待测结构的一端连接,所述待测结构的另一端通过第二通孔结构与所述第二引线结构连接。
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