发明名称 |
集成电路中可靠性分析的测试结构及其测试方法 |
摘要 |
本发明揭示了一种集成电路中可靠性分析的测试结构,该测试结构包括:待测结构;N个虚拟结构,N个所述虚拟结构与所述待测结构电连接,N为大于0的正整数;包括第一引线结构和第二引线结构的引线结构;和包括第一通孔结构和第二通孔结构的通孔结构。本发明还揭示了该测试结构的测试方法,包括:提供一衬底,根据所述的测试结构在所述衬底上形成实际待测试结构;所述第二引线结构接一第一测试电流,所述第一节点接地,测量第一失效电流。本发明的测试结构,能准确评估焦耳热效应对器件的影响,从而保证可靠性分析的准确性。 |
申请公布号 |
CN103824839B |
申请公布日期 |
2016.06.29 |
申请号 |
CN201210465725.9 |
申请日期 |
2012.11.16 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
发明人 |
冯军宏;甘正浩 |
分类号 |
H01L23/544(2006.01)I;G01R31/12(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/544(2006.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人 |
屈蘅;李时云 |
主权项 |
一种集成电路中可靠性分析的测试结构,包括:待测结构;N个虚拟结构,N个所述虚拟结构与所述待测结构临近且电连接,N个所述虚拟结构与所述待测结构通过互连线或垫片电连接,N为大于0的正整数;引线结构,位于所述待测结构的上层,包括第一引线结构和第二引线结构,所述第一引线结构和第二引线结构用于为所述待测结构提供电流;以及通孔结构,包括第一通孔结构和第二通孔结构,其中,所述第一引线结构通过第一通孔结构与所述待测结构的一端连接,所述待测结构的另一端通过第二通孔结构与所述第二引线结构连接。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江路18号 |