TEM样品的制备方法

摘要

本发明提供一种TEM样品制备方法，在样品载入FIB机台处理前增加了前处理步骤，即对切割出的第一待处理样品进行背面减薄处理，然后将第一待处理样品和第二待处理样品的正面面对面贴合，然后再按照常规的FIB制备样品的过程进行两个TEM样品的制备。由于背面减薄处理后的第一待处理样品在要形成第一TEM样品的区域会有硅衬底残留，这样在FIB机台上进行TEM样品制备过程中省略镀保护层的步骤，缩短了制样的时间；而且一次可得两个TEM样品，提高了制备效率，同时缩短了单个样品制备的周期。

主权项

一种TEM样品的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：从晶片上切割出第一待处理样品和第二待处理样品，所述第一待处理样品包含后续要形成的第一TEM样品，所述第二待处理样品包含后续要形成的第二TEM样品；从所述第一待处理样品的正面确定要形成的第一TEM样品的位置；对所述第一待处理样品进行背面减薄处理；将所述第一待处理样品的正面和第二待处理样品的正面贴合在一起，形成待处理样品；将所述待处理样品载入FIB机台，并从所述第一待处理样品的背面处理所述待处理样品，用离子束初步切割，在所述第一待处理样品要形成的第一TEM样品的两侧形成两个洞，所述洞的深度能暴露出包含第二TEM样品的第二待处理样品的侧壁，用离子束在两个洞的底部分别形成开口，用离子束分别从每个洞中细切要形成的第一TEM样品和第二TEM样品的侧壁，直到要形成的第一TEM样品和第二TEM样品的厚度均达到要求；形成包含第一TEM样品和第二TEM样品两种结构的TEM样品。