栅极的形成方法

摘要

本发明提出一种栅极的形成方法，在对多晶硅层进行预注入之后，先形成较薄且较为致密的第一掩膜层，再形成较为疏松的第二掩膜层，接着再进行刻蚀，由于预注入之后，残留在多晶硅层表面的离子会渗透出第一掩膜层与第二掩膜层，避免离子在多晶硅层和第一掩膜层的交界处形成团聚空洞，使后续刻蚀正常进行，从而避免对半导体衬底造成损伤。

主权项

一种栅极的形成方法，包括步骤：提供半导体衬底；在半导体衬底上依次形成栅介质层、多晶硅层；对所述多晶硅层进行预注入；在所述多晶硅层表面依次形成第一掩膜层及第二掩膜层，所述第一掩膜层比第二掩膜层致密，所述第一掩膜层为电浆增强型二氧化硅；依次刻蚀所述第二掩膜层、第一掩膜层、多晶硅层以及栅介质层形成栅极。