半导体结构的形成方法

摘要

一种半导体结构的形成方法，包括：形成贯穿介质层且暴露出基底表面的通孔；形成填充满所述通孔的第一导电层，所述第一导电层与钝化层顶部齐平；在所述钝化层表面形成具有开口的图形层，开口至少位于第一导电层上方且开口尺寸大于通孔尺寸；以图形层为掩膜，沿开口刻蚀部分厚度的介质层，在介质层内形成沟槽；形成填充满沟槽且与第一导电层电连接的第二导电层，第二导电层还覆盖于图形层表面；去除高于介质层表面的第二导电层、图形层以及钝化层，直至剩余的第二导电层与介质层顶部齐平。本发明避免形成有机分布层，从而避免去除有机分布层的工艺对介质层造成损伤，使得介质层保持良好的性能，进而提高半导体结构的电学性能。

主权项

一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底、位于基底表面的介质层以及位于介质层表面的钝化层；刻蚀所述钝化层以及介质层，形成贯穿介质层且暴露出基底表面的通孔；形成填充满所述通孔的第一导电层，所述第一导电层与钝化层顶部齐平；在所述钝化层表面形成具有开口的图形层，所述开口至少位于第一导电层的上方，且所述开口尺寸大于通孔尺寸；以所述图形层为掩膜，沿开口刻蚀部分厚度的介质层，在所述介质层内形成沟槽；形成填充满所述沟槽的第二导电层，所述第二导电层与第一导电层电连接；去除高于介质层表面的第二导电层、图形层以及钝化层，直至第二导电层与介质层顶部齐平。