| 发明名称 | 半导体器件 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件，包括一个或多个FinFET反相器，每个FinFET反相器包括至少一个PFinFET和至少一个NFinFET，PFinFET和NFinFET每一个均包括：多个鳍片结构，在衬底之上沿第一方向延伸；栅极，沿第二方向延伸而跨越多个鳍片结构；源区和漏区，分布在多个鳍片结构中并且在栅极的两侧；其中，PFinFET和NFinFET的栅极连接至输入节点，PFinFET和NFinFET的漏区连接至输出节点，PFinFET的源区连接至电源电压，NFinFET的源区接地；其中，PFinFET和NFinFET的衬底通过接触孔电连接至输入节点。依照本发明的半导体器件，将PFinFET和NFinFET的衬底短接至输入节点，通过同时偏压衬底而开启电路，可以有效增大器件的栅驱动能力。 | ||
| 申请公布号 | CN105720057A | 申请公布日期 | 2016.06.29 |
| 申请号 | CN201410724754.1 | 申请日期 | 2014.12.02 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 赵劼;钟汇才 |
| 分类号 | H01L27/092(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/092(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人 | 陈红 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括一个或多个FinFET反相器，每个FinFET反相器包括至少一个PFinFET和至少一个NFinFET，PFinFET和NFinFET每一个均包括：多个鳍片结构，在衬底之上沿第一方向延伸；栅极，沿第二方向延伸而跨越多个鳍片结构；源区和漏区，分布在多个鳍片结构中并且在栅极的两侧；其中，PFinFET和NFinFET的栅极连接至输入节点，PFinFET和NFinFET的漏区连接至输出节点，PFinFET的源区连接至电源电压，NFinFET的源区接地；其中，PFinFET和NFinFET的衬底通过接触孔电连接至输入节点。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3# | ||