发明名称 マスクブランク、位相シフトマスク、位相シフトマスクの製造方法および半導体デバイスの製造方法
摘要 ArFエキシマレーザーの露光光に対する透過率や位相シフト量の変化が抑制された位相シフト膜であり、かつEB欠陥修正を行った時に透光性基板との境界を検出するためのエッチング終点の検出が容易な位相シフト膜を備えるマスクブランクを提供する。位相シフト膜は、ArFエキシマレーザーの露光光を2%以上10%未満の透過率で透過させる機能と、位相シフト膜を透過した前記露光光に対して位相シフト膜の厚さと同じ距離空気中を通過した前記露光光の間で150度以上190度以下の位相差を生じさせる機能を有し、位相シフト膜は下層と上層が積層した構造を含み、下層は金属及びケイ素を含有し、酸素を実質的に含有しない材料で形成され、上層は金属、ケイ素、窒素及び酸素を含有する材料で形成され、下層の厚さは上層より薄く、上層の金属及びケイ素の合計含有量に対する金属の含有量の比率は、下層より小さい。
申请公布号 JP5940755(B1) 申请公布日期 2016.06.29
申请号 JP20160507706 申请日期 2015.10.07
申请人 HOYA株式会社 发明人 宍戸 博明;野澤 順;梶原 猛伯
分类号 G03F1/32;G03F1/80 主分类号 G03F1/32
代理机构 代理人
主权项
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