发明名称 |
R-T-B类烧结磁体的制造方法 |
摘要 |
本发明提供一种量产性优异的重稀土类元素RH的扩散处理。烧结磁体的制造方法包括:准备R-T-B类烧结磁石体的工序,准备包括含有Dy和Tb的至少一种的氟化物、氧化物、氧氟化物中的至少一种的RH扩散源的工序,将上述R-T-B类烧结磁石体与上述RH扩散源以能够相对移动且能够接近或者接触的方式装入处理室内的工序,和边使上述R-T-B类烧结磁石体和上述RH扩散源在上述处理室内连续或断续地移动,边将上述R-T-B类烧结磁石体和上述RH扩散源加热到800℃以上950℃以下的处理温度的RH扩散处理工序。 |
申请公布号 |
CN103140903B |
申请公布日期 |
2016.06.29 |
申请号 |
CN201180047338.7 |
申请日期 |
2011.09.29 |
申请人 |
日立金属株式会社 |
发明人 |
国吉太 |
分类号 |
H01F41/02(2006.01)I;B22F3/24(2006.01)I;C22C33/02(2006.01)I;C22C38/00(2006.01)I;H01F1/053(2006.01)I;H01F1/08(2006.01)I |
主分类号 |
H01F41/02(2006.01)I |
代理机构 |
北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 |
代理人 |
龙淳 |
主权项 |
一种R‑T‑B类烧结磁体的制造方法,其特征在于,包括:准备R‑T‑B类烧结磁石体的工序,准备包括含有Dy和Tb的至少一种的氟化物、氧化物、氧氟化物中的至少一种的RH扩散源的工序,将所述R‑T‑B类烧结磁石体与所述RH扩散源以能够相对移动且能够接近或者接触的方式装入处理室内的工序,和边使所述R‑T‑B类烧结磁石体和所述RH扩散源在所述处理室内连续或断续地移动,边利用配置于所述处理室的外周部的加热器加热所述处理室、由此由同一所述加热器加热收纳于所述处理室的内部的所述R‑T‑B类烧结磁石体和所述RH扩散源的双方并加热到800℃以上950℃以下的处理温度的RH扩散处理工序,所述RH扩散处理工序使用导入至所述处理室内的搅拌辅助部件来进行,所述搅拌辅助部件由氧化锆、氮化硅、碳化硅和氮化硼、或者它们的混合物的陶瓷形成。 |
地址 |
日本东京都港区港南一丁目2番70号 |