发明名称 |
外延结构的制备方法 |
摘要 |
本发明涉及一种外延结构的制备方法,其包括以下步骤:提供一基底,该基底具有一支持外延层生长的外延生长面;在所述基底的外延生长面设置一石墨烯层,所述石墨烯层使所述外延生长面部分被覆盖且部分被暴露;以及在基底的外延生长面被暴露的部分生长外延层。 |
申请公布号 |
CN103378224B |
申请公布日期 |
2016.06.29 |
申请号 |
CN201210122618.6 |
申请日期 |
2012.04.25 |
申请人 |
清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
发明人 |
魏洋;范守善 |
分类号 |
H01L33/00(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/00(2010.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种外延结构的制备方法,其包括以下步骤:提供一基底,该基底具有一支持外延层生长的外延生长面;在所述基底的外延生长面设置一石墨烯层,所述石墨烯层为具有多个开口的连续的整体结构体,所述石墨烯层的厚度为一个碳原子厚度,所述开口的尺寸为10纳米~120微米,所述石墨烯层使所述外延生长面部分被覆盖且部分被暴露;以及在基底的外延生长面被暴露的部分生长外延层。 |
地址 |
100084 北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室 |