半导体芯片以及其形成方法

摘要

本发明公开了一种半导体芯片，包括基底、第一穿硅通孔、第一穿硅通孔结构、第二穿硅通孔、第二穿硅通孔结构以及被动器件。第一穿硅通孔设置于基底中、并贯穿上表面，第二穿硅通孔亦设置于基底中、贯穿下表面并与第一穿硅通孔相连通。第一穿硅通孔结构设置于第一穿硅通孔中，包括第一通孔导电材料，第二穿硅通孔结构亦设置于第二穿硅通孔中，包括与第一通孔导电材料电气连接的第二通孔导电材料。被动器件覆盖下表面，并与第二通孔导电材料电气连接。

主权项

一种半导体芯片，其特征在于，包括：基底，具有上表面以及相对于所述上表面的下表面；第一穿硅通孔设置于所述基底中，贯穿所述上表面；第一穿硅通孔结构设置于所述第一穿硅通孔中，包括第一通孔导电材料；第二穿硅通孔设置于所述基底中，贯穿所述下表面并与所述第一穿硅通孔相连通，其中所述第一穿硅通孔与所述第二穿硅通孔实质上具有对齐的侧壁；第二穿硅通孔结构设置于所述第二穿硅通孔中，包括与所述第一通孔导电材料电气连接的第二通孔导电材料，其中所述第一通孔导电材料与所述第二通孔导电材料直接接触并且具有一交界面；阻挡层，设置于所述基底、所述第一穿硅通孔与所述第二穿硅通孔中，所述阻挡层同时围绕所述第一通孔导电材料与所述第二通孔导电材料；以及被动器件覆盖所述下表面，并与所述第二通孔导电材料电气连接。