发明名称 |
包括多个石墨烯沟道层的石墨烯电子器件 |
摘要 |
本发明提供了一种具有多个石墨烯沟道层的石墨烯电子器件。该石墨烯电子器件包括:基板;形成在基板上的栅电极;第一栅绝缘膜,覆盖基板上的栅电极;多个石墨烯沟道层,形成在基板上,并且在多个石墨烯沟道层之间具有第二栅绝缘膜;源电极和漏电极,连接到每个石墨烯沟道层的两边缘。 |
申请公布号 |
CN102569398B |
申请公布日期 |
2016.06.29 |
申请号 |
CN201110230441.7 |
申请日期 |
2011.08.12 |
申请人 |
三星电子株式会社;首尔大学校产学协力团 |
发明人 |
郑现钟;李载泓;李载昊;申炯澈;徐顺爱;李晟熏;许镇盛;梁喜准 |
分类号 |
H01L29/78(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/78(2006.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 11105 |
代理人 |
张波 |
主权项 |
一种石墨烯电子器件,具有多个石墨烯沟道层,所述石墨烯电子器件包括:基板;形成在所述基板上的栅电极;在所述基板上的第一栅绝缘膜,覆盖所述栅电极;多个石墨烯沟道层,形成在所述第一栅绝缘膜上;第二栅绝缘膜,位于所述多个石墨烯沟道层之间;和源电极,直接连接到所述多个石墨烯沟道层的每个的一个边缘;以及漏电极,直接连接到所述多个石墨烯沟道层的每个的另一个边缘,其中所述多个石墨烯沟道层包括在所述第一栅绝缘膜上的第一石墨烯沟道层和在所述第二栅绝缘膜上的第二石墨烯沟道层,所述第二栅绝缘膜在所述第一石墨烯沟道层上,并且所述第一石墨烯沟道层和所述第二石墨烯沟道层的每个具有在1nm至20nm范围的宽度。 |
地址 |
韩国京畿道 |