应变层的生长方法以及带有应变层的衬底

摘要

本发明提供了一种应变层的生长方法以及带有应变层的衬底。所述方法包括如下步骤：提供衬底，所述衬底包括支撑层，支撑层表面的埋层以及埋层表面的顶层半导体层；在顶层半导体层中形成贯通的腐蚀窗口；在顶层半导体层的腐蚀窗口处形成桥接条，所述桥接条包括上电极层、下电极层以及压电材料层；通过腐蚀窗口腐蚀埋层，以使桥接条和部分的顶层半导体层悬空；在所述上电极层和下电极层之间施加电压，使所述压电材料层发生形变，从而使悬空的顶层半导体层发生应变。本发明的优点在于，利用了压电材料的逆压电现象，即外加电场会在压电材料中引入明显的尺寸改变的特性，通过桥接条引入足够的应变力，是一种低成本而高效的方法。

主权项

一种应变层的生长方法，其特征在于，包括如下步骤:提供衬底，所述衬底包括支撑层，支撑层表面的埋层以及埋层表面的顶层半导体层；在顶层半导体层中形成贯通的腐蚀窗口；在顶层半导体层的腐蚀窗口处形成桥接条，所述桥接条的两端均与顶层半导体层表面连接，所述桥接条包括上电极层、下电极层以及夹在上电极层和下电极层之间的压电材料层，所述压电材料层是单层或者多层结构；通过腐蚀窗口腐蚀埋层，以使桥接条和部分的顶层半导体层悬空；在所述上电极层和下电极层之间施加电压，使所述压电材料层发生形变，从而使悬空的顶层半导体层发生应变。