发明名称 具有改进电极构造的发光设备
摘要 本发明涉及具有改进电极构造的发光设备,所述设备包括:第一半导体层和第二半导体层;位于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的发光层;位于所述第一半导体层上的第一电极图案层;以及位于所述第二半导体层上的第二电极图案层,其中,所述第二电极图案层包括电极主体以及从所述电极主体向所述第一电极图案层延伸的多个分支电极。本发明实施例提供的具有改进电极构造的发光设备中的改进电极构造与相对较薄的透明导电氧化物层一起可以增大发光设备的发光效率。
申请公布号 CN103594595B 申请公布日期 2016.06.29
申请号 CN201310573094.7 申请日期 2009.09.02
申请人 株式会社东芝 发明人 史蒂芬·D·列斯特;林朝坤
分类号 H01L33/38(2010.01)I 主分类号 H01L33/38(2010.01)I
代理机构 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人 张伟;王英
主权项 一种发光设备,包括:第一半导体层;第二半导体层;形成在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的发光层;形成在所述第一半导体层上的第一电极图案层,所述第一电极图案层包括两个第一子电极图案,所述两个第一子电极图案被机械性地相互分开并且被形成为镜像关系,每个所述第一子电极图案具有曲线拉长的C形,所述曲线拉长的C形具有半封闭的开口;以及形成在所述第二半导体层上的第二电极图案层,所述第二电极图案层包括一对成镜像关系的第二子电极图案,每个所述第二子电极图案包括直线部分和从所述直线部分延伸的曲线部分,所述曲线部分具有曲线拉长的C形,所述曲线拉长的C形具有半封闭的开口,所述第二子电极图案中的每一个对应于所述第一子电极图案中的每一个,并且所述第二子电极图案中的每一个沿着所对应的所述第一子电极图案的轮廓从所对应的所述第一子电极图案的所述半封闭的开口伸出,以包围所对应的所述第一子电极图案,其中所述第二子电极图案中的一个第二子电极图案的直线部分与所述第二子电极图案中的另一个第二子电极图案的直线部分在相同方向上延伸,所述第二子电极图案的曲线部分成镜像关系地以相互远离的方式朝着各自的末端延伸。
地址 日本东京