Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung mit einer Metallnitridschicht und Halbleitervorrichtung

摘要

Ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung umfasst ein Einbringen von Stickstoff in eine Metallschicht (131) oder in eine Metallnitridschicht (130), wobei die Metallschicht (131) oder die Metallnitridschicht (130) in Kontakt mit einem Halbleitermaterial (100) gebildet sind. Eine Halbleitervorrichtung umfasst ein Halbleitermaterial (100) und eine Metallnitridschicht (130) in Kontakt mit dem Halbleitermaterial (100). Das Metallnitrid hat einen Stickstoffgehalt größer als eine Lösbarkeitsgrenze von Stickstoff in dem Metallnitrid.