Halbleiterbauelement mit einer Zusammenschaltungsstruktur und Ausbildungsverfahren dafür

摘要

Es sind eine Halbleiterbauelementstruktur und ein Verfahren zum Ausbilden der Halbleiterbauelementstruktur vorgesehen. Die Halbleiterbauelementstruktur enthält ein Substrat und eine Gateelektrode, die auf dem Substrat ausgebildet ist. Die Halbleiterbauelementstruktur enthält außerdem eine erste Kontaktstruktur mit einem ersten Abschnitt und einem zweiten Abschnitt. Der erste Abschnitt der ersten Kontaktstruktur ist in der Gateelektrode ausgebildet, und der zweite Abschnitt ist auf dem ersten Abschnitt ausgebildet.