发明名称 Innenkammerelement-Temperatursteuerverfahren, kammerinternes Element, Substratanbringtisch und Plasmabearbeitungsvorrichtungsvorrichtung, die selbigen enthält
摘要 Verfahren zur Steuerung der Temperatur eines Fokusrings (5), der mehrere ringförmige Elemente aufweist, die um das Zielsubstrat angeordnet sind, zur Verwendung in einer Plasmabearbeitungsvorrichtung, die das Zielsubstrat (15) mit einem Plasma bearbeitet, wobei das Verfahren aufweist: Bereitstellen jedes ringförmigen Elements des Fokusrings (5) mit einem Leistungszufuhrabschnitt; Erhitzen des Fokusrings (5) durch dahin Zuführen einer elektrischen Leistung über die Leistungszufuhrabschnitte; Messen eines Widerstandswerts oder eines spezifischen Widerstands des Fokusrings (5); und Steuern der elektrischen Leistung basierend auf der Temperatur des Fokusrings (5), die aus dem Widerstandswert oder dem spezifischen Widerstand abgeschätzt wird, sodass ein elektrischer Strom gleichförmig durch den Fokusring (5) fließt, um den Fokusring (5) mit einer bezüglich seiner Ebene gleichförmigen Temperatur zu erhitzen.
申请公布号 DE102009027476(B4) 申请公布日期 2016.06.23
申请号 DE20091027476 申请日期 2009.07.06
申请人 Tokyo Electron Limited 发明人 Koshimizu, Chishio;Iwata, Manabu;Matsudo, Tatsuo
分类号 H05H1/46;C23C14/54;C23C16/52;H01L21/3065 主分类号 H05H1/46
代理机构 代理人
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