发明名称 薄膜サーミスタ素子およびその製造方法
摘要 Si基板2と、Si基板2上に形成されたサーミスタ薄膜5と、サーミスタ薄膜5の膜上、膜下又は膜中に形成された白金又はその合金等からなる電極3と、を備えた薄膜サーミスタ素子であって、電極3が、酸素及び窒素を含んで成膜された後に熱処理して結晶化されてなることを特徴とする薄膜サーミスタ素子。
申请公布号 JPWO2014010591(A1) 申请公布日期 2016.06.23
申请号 JP20130547042 申请日期 2013.07.09
申请人 SEMITEC株式会社 发明人 伊藤 謙治;豊田 直
分类号 H01C7/04;H01C17/06 主分类号 H01C7/04
代理机构 代理人
主权项
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