| 发明名称 | 半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明的半导体器件，包括源极线、位线、第一信号线、第二信号线、字线、并联连接在该源极线和位线之间的存储单元、电连接至该源极线和位线的第一驱动器电路、电连接至第一信号线的第二驱动器电路、电连接至第二信号线的第三驱动器电路、电连接至第二信号线的第三驱动器电路、以及电连接至字线的第四驱动器电路。该存储单元包括包含第一栅电极、第一源电极、以及第一漏电极的第一晶体管，包含第二栅电极、第二源电极、以及第二漏电极的第二晶体管、以及电容器。第二晶体管包括氧化物半导体材料。 | ||
| 申请公布号 | CN105702631A | 申请公布日期 | 2016.06.22 |
| 申请号 | CN201610231158.9 | 申请日期 | 2010.12.02 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 山崎舜平;小山润;加藤清 |
| 分类号 | H01L21/8247(2006.01)I;G11C11/402(2006.01)I;G11C11/405(2006.01)I;H01L21/8242(2006.01)I;H01L27/108(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L29/788(2006.01)I;H01L29/792(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8247(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 金红莲 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：包括第一栅电极、第一源电极和第一漏电极的第一晶体管；包括第二栅电极、第二源电极和第二漏电极的第二晶体管；以及包括一对电极的电容器，其中，所述第一栅电极、所述第二源电极和所述第二漏电极中的一个、以及所述电容器的一个电极彼此电连接，其中，所述电容器的另一个电极电连接至第一驱动器电路，其中，所述第二栅电极电连接至第二驱动器电路，其中，所述第二源电极和所述第二漏电极中的另一个电连接至第三驱动器电路，其中，所述第一源电极和所述第一漏电极中的一个电连接至第四驱动器电路，且其中，所述第二晶体管包括氧化物半导体层。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||