片上集成器件栅介质制作方法

摘要

一种片上集成器件栅介质制作方法，其创新在于，采用相应的适配方法在芯片上分别形成CCD介质层和CMOS介质层；本发明的有益技术效果是：可以明显改善器件参数，降低工艺成本。

主权项

一种片上集成器件栅介质制作方法，包括集成在同一芯片上的CCD器件和CMOS驱动电路，其特征在于：所述CCD器件对应的栅介质层记为CCD介质层，所述CMOS驱动电路对应的栅介质层记为CMOS介质层；按如下方法在芯片上分别形成CCD介质层和CMOS介质层：1）提供衬底（1）；2）在衬底表面生长第一氧化层（2）；3）在第一氧化层（2）表面生长氮化硅层（3）；所述第一氧化层（2）和氮化硅层（3）所形成的复合层即为CCD介质层；4）采用光刻工艺，在CCD介质层上光刻出CMOS驱动电路的图形；所述图形形成CMOS区域；5）采用干法刻蚀工艺，将CMOS区域范围内的氮化硅层（3）去掉；CMOS区域范围内的氮化硅层（3）去掉后，CMOS区域范围内的第一氧化层（2）表面就裸露出来了；6）采用湿法腐蚀工艺，将CMOS区域范围内的第一氧化层（2）全部去掉；CMOS区域范围内的第一氧化层（2）去掉后，CMOS区域范围内的衬底（1）表面就裸露出来了；7）在CMOS区域范围内的衬底（1）表面生长第二氧化层（4），第二氧化层（4）的厚度小于第一氧化层（2），第二氧化层（4）即形成CMOS介质层。