一种增强稀土掺杂钨酸钪上转换发光强度的方法

摘要

本发明属于光电功能材料领域，其公开了一种增强稀土掺杂钨酸钪上转换发光强度的方法，该稀土掺杂钨酸钪发光材料的结构式为：Sc_2-a-b(WO₄)₃∶Yb_a/M_b，其中，M为Er，Tm，Ho中的至少一种组成；且0.005＜a≤0.2，0＜b≤0.08。在300～900℃温度下，采用0.1～20V的电源通电1h以上，使得Sc_2-a-b(WO₄)₃∶Yb_a/M_b中的Sc³⁺离子迁移，导致M³⁺离子晶体场的对称性变差。因此，材料自然冷却至室温并断电后，在980nm波长的红外光激发下M³⁺离子的发光强度增强。此发明不仅解决了化学法增强上转换发光容易产生杂相的问题，而且解决了物理法增强上转换发光存在电场依赖的问题。本发明方法得到的稀土掺杂钨酸钪发光材料可广泛用于光电器件、防伪、生物分子荧光标记和三围立体显示等领域中。

主权项

一种增强稀土掺杂钨酸钪上转换发光强度的方法，其特征在于：将Sc_2‑a‑b(WO₄)₃:Yb_a，M_b(M为Er，Tm，Ho中的至少一种组成；a和b为摩尔系数，范围为0.005＜a≤0.2，0＜b≤0.08)粉末冷压成片后在300～900℃温度下，采用0.1～20V的电源通电1h以上，待材料自然冷却至室温并断电，在980nm波长的红外光激发下M³⁺离子的发光强度增强。