用于利用气体脉冲进行深硅蚀刻的方法

摘要

在本文中所公开的技术包括用于利用连续气体脉冲工艺蚀刻深硅特征的方法，该连续气体脉冲工艺对具有相对平滑的轮廓的高的纵横比特征进行蚀刻。这样的方法提供了比分时复用蚀刻沉积工艺的蚀刻速率大的蚀刻速率。技术包括利用包括交替化学物质的循环气体脉冲工艺的连续工艺。第一过程气体混合物包括产生氧化物层的含卤素的硅气体和氧。第二过程气体混合物包括蚀刻氧化物和硅的含卤素的气体和氟碳气体。

主权项

一种用于在基板上蚀刻深硅特征的方法，包括：将基板布置在等离子体处理系统中的基板保持器上，所述基板具有限定露出硅表面的开口的图案化的掩模层；使第一过程气体混合物流入所述等离子体处理系统，所述第一过程气体混合物包括硅、氧以及至少一种卤素；使第二过程气体混合物流入所述等离子体处理系统，所述第二过程气体混合物包括含卤素的气体和氟碳气体；由所述第一过程气体混合物和所述第二过程气体混合物形成等离子体，使得所述硅表面通过所述图案化的掩模层被暴露于所述等离子体；利用所述第一气体混合物与所述等离子体的产物在所述基板内的一个或更多个硅特征的侧壁和底表面上形成氧化物层；以及利用所述第二过程气体混合物与所述等离子体的产物对所述基板内的所述一个或更多个硅特征进行蚀刻。