| 发明名称 | 半导体存储装置及其版图结构 | ||
| 摘要 | 本实用新型提供一种半导体存储装置及其版图结构，通过在存储阵列外围使用接地的伪结构来代替现有技术中浮置悬空的伪结构，确保造成存储阵列边界行列的存储单元的工艺参数失配的信号及时传导至地，提高了存储阵列的存储单元之间的匹配性，从而减少了阵列边界行列的失效存储单元的数量，在改善半导体存储装置的版图密度分布的同时，还能大大提高半导体存储装置的良率。 | ||
| 申请公布号 | CN205335260U | 申请公布日期 | 2016.06.22 |
| 申请号 | CN201620066783.8 | 申请日期 | 2016.01.22 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 王蕾 |
| 分类号 | H01L27/24(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/24(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种半导体存储装置，其特征在于，包括存储阵列以及位于所述存储阵列外围的伪结构，所述伪结构均接地。 | ||
| 地址 | 300385 天津市西青经济开发区兴华道19号 | ||